基板の表面に樹脂絶縁膜のパターンを形成する方法及び半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 鶴田準一 , 島田哲郎 , 大橋康史 , 篠崎正海
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-237509
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251695
出願日： 2009年10月14日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

【課題】基板の表面に樹脂絶縁膜のパターンを切削加工で形成する方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法において、接続用の電極(2)が一主面に形成された半導体基板(1)において、前記接続用の電極(2)を覆うように前記一主面側に樹脂絶縁膜(3)を形成する第1工程と、すくい角をゼロ又は負とした、バイト(4)による切削加工により、前記接続用の電極(2)の接続部位(21)を露出させるように、テーパ部(10)と前記接続部位(21)とからなる開孔(31)を形成する第2工程とを具備することを特徴とする。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

接続用の電極(2)が一主面に形成された半導体基板(1)において、前記接続用の電極(2)を覆うように前記一主面側に樹脂絶縁膜(3)を形成する第1工程と、すくい角をゼロ又は負とした、バイト(4)による切削加工により、前記接続用の電極(2)の接続部位(21)を露出させるように、テーパ部(10)と前記接続部位(21)とからなる開孔(31)を形成する第2工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , B23D 1/00

FI (3件)：

H01L21/90 A , H01L21/88 T , B23D1/00

Fターム (29件)：

3C050AB07 , 3C050AD00 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH12 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH16 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033JJ01 , 5F033KK08 , 5F033MM08 , 5F033NN32 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ41 , 5F033QQ47 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033VV07 , 5F033WW00 , 5F033XX14

引用特許：

審査官引用 (5件)

コンタクトホールの形成方法、これを用いた回路基板及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-304423 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置の金属電極形成方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-337039 出願人：株式会社デンソー
特開昭58-124613

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