半導体装置の金属電極形成方法及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田下明人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-337039
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049356
出願日： 2007年12月27日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】切削量の要求精度より大きい厚さばらつきを有する半導体基板に対し、切削量の要求精度を満足する切削加工により金属膜をパターニングして金属電極を形成する半導体装置の金属電極形成方法を実現する。【解決手段】吸着ステージ21bに吸着固定されることにより裏面11bの形状を反映して表面部11cの凹凸差が増大した半導体基板11について、表面部11cの表面形状データを取得し、この表面形状データに基づいて、圧電アクチュエータ24aにより半導体基板11に変位を与えて、切削面Pと表面部11cとの距離が切削加工の要求精度内になるように変形させる。そして、半導体基板11を吸着ステージ21bに吸着固定したまま切削面Pにおいて切削加工を行うことにより、金属膜14のうち開口部13aの内部に形成された部分のみを残すようにパターニングされた金属電極15を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に、半導体素子と電気的に接続された下地電極を形成する工程と、前記下地電極を覆って保護膜を形成し、前記保護膜の表面から前記下地電極に向かって、前記下地電極を表出させる開口部を形成する工程と、前記保護膜及び前記開口部から臨む前記下地電極の表面を覆って金属膜を形成する工程と、半導体基板を吸着固定する吸着ステージに、前記金属膜が形成された半導体基板を吸着固定した後に、前記半導体基板の主面に臨んで配設され半導体基板の表面形状を測定する表面形状測定手段により、前記吸着ステージに吸着固定された半導体基板の、前記金属膜のうち前記保護膜を覆っている表面部の表面形状データを取得する工程と、前記表面形状測定手段により取得された前記表面形状データに基づいて、前記吸着ステージに固定された半導体基板に前記吸着ステージ側から変位を与えて変形させる変形手段により、前記吸着ステージと平行に設定された切削面と前記半導体基板の表面部との距離が所定の範囲内になるように変形させる工程と、前記表面形状測定手段により前記変形された半導体基板の表面部の表面形状を測定し、前記切削面と前記変形された半導体基板の表面部との距離が所定の範囲内であるか否かを判定する工程と、前記切削面と前記変形された半導体基板の表面部との距離が所定の範囲内であると判定された場合に、前記変形された半導体基板を前記吸着ステージに吸着固定したまま、前記切削面において切削を行う切削加工により、前記金属膜をパターニングして金属電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の金属電極形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 , H01L 21/683 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/28 , H01L 21/60

FI (6件)：

H01L21/304 622H , H01L21/304 631 , H01L21/68 P , H01L21/88 T , H01L21/28 E , H01L21/92 604Z

Fターム (30件)：

4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104DD20 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD75 , 4M104FF13 , 5F031CA02 , 5F031HA05 , 5F031HA13 , 5F031JA06 , 5F031JA30 , 5F031JA32 , 5F031KA07 , 5F031LA10 , 5F031MA22 , 5F031PA14 , 5F033HH07 , 5F033HH13 , 5F033HH18 , 5F033MM08 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ46 , 5F033QQ47 , 5F033RR22 , 5F033VV07

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-193748 出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-179987 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-217014 出願人：株式会社デンソー
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-193748 出願人：株式会社デンソー

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