透明トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-213211
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147458
出願日： 2009年09月15日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：

【課題】透明度及び導電性を向上させることができる積層構造を有することによって、最適化された透明トランジスタを提供する。【解決手段】本発明による透明トランジスタは、基板と、下部透明層、金属層及び上部透明層の多層構造を有し、前記基板上に形成されているソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極の間に形成されているチャネルと、前記チャネルと整列されているゲート電極とを含み、前記下部透明層または上部透明層が前記チャネルと同一の透明半導体層で形成されている。したがって、多層の透明導電膜を活用して透明度及び導電性を確保しながら、ソース/ドレイン電極と半導体との接触抵抗問題を解決し、薄膜蒸着時に追加される工程に比べてパターニング工程を減少することができ、工程の効率性を高めることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、下部透明層、金属層及び上部透明層の多層構造を有し、前記基板上に形成されているソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極の間に形成されているチャネルと、前記チャネルと整列されているゲート電極とを含み、前記下部透明層または上部透明層が前記チャネルと同一の透明半導体層で形成されている透明トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 29/417

FI (10件)：

H01L29/78 616U , H01L29/78 617L , H01L29/78 616V , H01L29/78 617U , H01L29/78 616K , H01L29/78 617J , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L29/58 G , H01L29/50 M

Fターム (37件)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104EE14 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 5F110AA03 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD11 , 5F110EE02 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110HK02 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK42 , 5F110NN02 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (3件)

ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-273863 出願人：キヤノン株式会社
表示装置用配線、これを含む薄膜トランジスタ表示板、及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-145641 出願人：三星電子株式会社
液晶表示装置用電極板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-223686 出願人：凸版印刷株式会社

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