表示装置用配線、これを含む薄膜トランジスタ表示板、及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 宇谷勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-145641
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332674
出願日： 2006年05月25日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】銀(Ag)配線の低抵抗性の利点を生かしながらも接着性及びエッチングプロファイルを補完する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】基板110上に第1信号線を形成する段階と、第1信号線上にゲート絶縁膜140及び半導体層を順次に形成する段階と、ゲート絶縁膜140及び半導体層上に第2信号線171を形成する段階と、第2信号線171と連結される画素電極191を形成する段階と、を含み、第1信号線を形成する段階及び第2信号線171を形成する段階のうちの少なくとも一つの段階は、第1導電性酸化膜を形成する段階と、銀(Ag)を含む導電層を形成する段階と、第1導電性酸化膜よりも低い温度で第2導電性酸化膜を形成する段階と、を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

多結晶の第1導電性酸化物を含む第1導電層と、銀を含む第2導電層と、非晶質導電性酸化物から形成される多結晶の第2導電性酸化物を含む第3導電層と、を含む表示装置用配線。

IPC (3件)：

H01L 23/52 , H01L 21/320 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L21/88 R , H01L29/78 612C

Fターム (92件)：

5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH14 , 5F033HH25 , 5F033HH35 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ14 , 5F033JJ35 , 5F033JJ38 , 5F033KK14 , 5F033KK25 , 5F033KK35 , 5F033KK38 , 5F033LL06 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033MM19 , 5F033MM21 , 5F033MM23 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ19 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ89 , 5F033QQ90 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR27 , 5F033TT04 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033WW03 , 5F033XX00 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX27 , 5F033XX28 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK05 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110HM03 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN35 , 5F110NN73 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

積層構造およびその製造方法、表示素子、ならびに表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-151156 出願人：ソニー株式会社
電極基板の製造方法および電極基板を用いた表示素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-086619 出願人：松下電器産業株式会社
透明導電性膜の形成方法、アレイ基板および液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-222484 出願人：株式会社東芝

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