ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山下穣平 , 永井道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-273863
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166716
出願日： 2007年10月22日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】ソース電極及びドレイン電極のエッチング工程においてオン・オフ比の良好なTFT特性を安定して実現する酸化物半導体を用いたボトムゲート型薄膜トランジスタ及びその製造方法、表示装置を提供する。【解決手段】基板1上に、ゲート電極2と、ゲート絶縁膜としての第1の絶縁膜3と、チャネル層としての酸化物半導体層4と、保護層としての第2の絶縁膜5と、ソース電極6と、ドレイン電極7とを有するボトムゲート型薄膜トランジスタであって、酸化物半導体層4は、In、Zn及びSnの少なくとも一つを含む酸化物であり、第2の絶縁膜5は、酸化物半導体層4と接するよう形成されたアモルファス酸化物絶縁体であり、昇温脱離分析により酸素として観測される脱離ガスを3.8×1019個/cm3以上含有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜としての第1の絶縁膜と、チャネル層としての酸化物半導体層と、保護層としての第2の絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極とを有するボトムゲート型薄膜トランジスタであって、前記酸化物半導体層は、In、Zn及びSnの少なくとも一つを含む酸化物を含み、前記第2の絶縁膜は、前記酸化物半導体層と接するよう形成されたアモルファス酸化物絶縁体を含み、昇温脱離分析により酸素として観測される脱離ガスを3.8×1019個/cm3以上、含有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 619A

Fターム (34件)：

5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE15 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK07 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN28 , 5F110NN34 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-264885 出願人：科学技術振興事業団
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274333 出願人：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
特許第3420301号公報

審査官引用 (8件)

半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079273 出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-295763 出願人：日本板硝子株式会社, 浜松ホトニクス株式会社
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-172301 出願人：株式会社村田製作所

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