特許
J-GLOBAL ID:201003037696920335
磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリおよび磁気記録再生装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (21件):
鈴江 武彦
, 蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 風間 鉄也
, 勝村 紘
, 河井 将次
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
, 市原 卓三
, 山下 元
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-249977
公開番号(公開出願番号):特開2010-080839
出願日: 2008年09月29日
公開日(公表日): 2010年04月08日
要約:
【課題】小さい径の磁気微小接合点を高純度で形成し、高い磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】第1の強磁性層上に金属層を形成し、前記金属層を酸化して、未酸化の金属が残存した酸化物層と、前記酸化物層の膜厚方向に侵入した前記第1の強磁性層の構成元素の少なくとも一部を含む磁性導電カラムとを形成し、前記酸化物層を形成するときの温度よりも高い温度で加熱して、前記磁性導電カラムの外周の少なくとも一部を変換して、前記酸化物層の構成元素の少なくとも一部と前記磁性導電カラムの構成元素の少なくとも一部を含む磁性酸化物を形成し、第2の強磁性層を形成することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
第1の強磁性層上に金属層を形成し、
前記金属層を酸化して、未酸化の金属が残存した酸化物層と、前記酸化物層の膜厚方向に侵入した前記第1の強磁性層の構成元素の少なくとも一部を含む磁性導電カラムとを形成し、
前記酸化物層を形成するときの温度よりも高い温度で加熱して、前記磁性導電カラムの外周の少なくとも一部を変換して、前記酸化物層の構成元素の少なくとも一部と前記磁性導電カラムの構成元素の少なくとも一部を含む磁性酸化物を形成し、
第2の強磁性層を形成する
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (3件):
H01L 43/12
, H01L 43/08
, G11B 5/39
FI (3件):
H01L43/12
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
Fターム (31件):
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034BA21
, 5D034DA07
, 5F092AA02
, 5F092AA11
, 5F092AB02
, 5F092AC15
, 5F092AD03
, 5F092BB09
, 5F092BB10
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB37
, 5F092BB40
, 5F092BB42
, 5F092BB53
, 5F092BC03
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC13
, 5F092BC18
, 5F092BC22
, 5F092BE24
, 5F092CA13
, 5F092CA23
, 5F092CA25
引用特許:
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