特許
J-GLOBAL ID：200903099376158600
磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-298774
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114610
出願日： 2004年10月13日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】磁性金属によるポイントコンタクト構造を適用したスピンバルブ型GMR素子において、導通部での伝導の量子化を促進することによって、ポイントコンタクトに基づく巨大な抵抗変化率を再現性よく得ることを可能にする。【解決手段】スピンバルブ型の磁気抵抗効果膜2は、磁化固着層5と磁化自由層7とこれら間に介在された中間層6とを有する。中間層6は絶縁層14内に配置された磁性金属材料からなる導通部15を備える。中間層6上に積層された強磁性体膜7は、導通部15の上方に配置され、かつ膜面に対して略垂直方向に結晶成長した垂直配向部16と、垂直配向部16以外の部分に存在する非垂直配向部17とを有する。磁気抵抗効果素子1は磁気抵抗効果膜2の膜面垂直方向にセンス電流を通電する一対の電極3、4を具備する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
磁化方向が実質的に一方向に固着された強磁性体膜を有する磁化固着層と、
磁化方向が外部磁界に対応して変化する強磁性体膜を有する磁化自由層と、
前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に介在された絶縁層と、前記絶縁層内に前記磁化固着層と前記磁化自由層とを接続するように配置され、かつ磁性金属材料からなる導通部とを有する中間層と、
前記磁化固着層、前記中間層および前記磁化自由層の膜面に対して略垂直方向にセンス電流を通電するように設けられた一対の電極とを具備し、
前記磁化固着層および前記磁化自由層を構成する前記強磁性体膜のうち、前記中間層上に積層された強磁性体膜は、前記導通部の上方に配置され、かつ膜面に対して略垂直方向に結晶成長した垂直配向部と、前記垂直配向部以外の部分に存在する非垂直配向部とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
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