特許
J-GLOBAL ID：201003038305663364

薄膜太陽電池の製造方法

発明者：
立花 伸介

立花 伸介 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-117278
公開番号（公開出願番号）：特開2010-183115
出願日： 2010年05月21日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】製造コストを低減することができるとともに出力を向上することができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】透明絶縁基板に形成された透明電極層にレーザ光を照射することによって透明電極層を分離する第1分離溝を形成するとともに、第1分離溝の長手方向と直交する方向の左右にアライメント用の溝を形成する第1のレーザ光照射工程を含む、薄膜太陽電池の製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明絶縁基板に形成された透明電極層にレーザ光を照射することによって前記透明電極層を分離する第1分離溝を形成するとともに、前記第1分離溝の長手方向と直交する方向の両端にアライメント用の溝を形成する第1のレーザ光照射工程と、 前記透明電極層上に半導体光電変換層を積層する第1の積層工程と、 前記半導体光電変換層上に裏面電極層を積層する第2の積層工程と、 前記第1分離溝の長手方向にレーザ光を照射することによって少なくとも前記裏面電極層を分離する第2分離溝を形成する第2のレーザ光照射工程と、 前記第2分離溝の長手方向に直交する方向にレーザ光を照射することによって前記レーザ光の照射領域における透明電極層、半導体光電変換層および裏面電極層を除去する第3のレーザ光照射工程と、を含む、薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 S
Fターム (27件)：
5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151AA16 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CA15 ,  5F151CB14 ,  5F151CB15 ,  5F151DA04 ,  5F151DA17 ,  5F151DA18 ,  5F151EA09 ,  5F151EA10 ,  5F151EA11 ,  5F151EA16 ,  5F151FA02 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151FA18 ,  5F151GA03 ,  5F151JA03 ,  5F151JA04 ,  5F151JA06
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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