特許
J-GLOBAL ID：200903044292176000

薄膜太陽電池パネルの製造方法及び製造装置

発明者：
黒田 雅博

黒田 雅博 について

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宇田 和孝

宇田 和孝 について

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竹内 良昭

竹内 良昭 について

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山内 康弘

山内 康弘 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-193881
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016269
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 分離溝を形成するとき、光電変換セルの透明電極層と裏面電極層とが短絡せず、また、分離溝がより少ない工程で形成される製造方法を提供する。【解決手段】透明基板11、透明電極層12、半導体層13と裏面電極層14を含む積層体を備え、積層体は分離溝4によって光電変換セル領域2と外周端部3とに分離されている薄膜太陽電池パネルの製造方法であり、レーザビーム15を透明基板側から入射するステップと、レーザビームを第1(y軸)方向に走査して透明電極層、半導体層、裏面電極層を切断し、分離溝を形成するステップとを具備する。レーザビームには、透明電極層と半導体層と裏面電極層とを透明基板から離脱させる第1光強度を有する中心領域15aと、第1光強度よりも小さく半導体層と裏面電極層とを透明電極層から離脱させる第2光強度を有し中心領域を包囲する外部領域15bとが積極的に設けられている。
請求項（抜粋）：
透明基板と、前記透明基板の上に形成された透明電極層と、前記透明電極層の上に形成された半導体層と、前記半導体の上に形成された裏面電極層とを含む積層体とを備え、前記積層体は分離溝によって光電変換セル領域と外周端部とに分離されている薄膜太陽電池パネルの製造方法であって、(a) レーザビームを前記透明基板側から前記薄膜太陽電池パネルに入射するステップと、(b) 前記レーザビームを第1方向に走査して前記透明電極層、前記半導体層、及び前記裏面電極層を切断し、前記分離溝を形成するステップを具備し、前記レーザビームには、前記透明電極層と前記半導体層と前記裏面電極層とを前記透明基板から離脱させる第1光強度を有する中心領域と、前記第1光強度よりも小さく、前記半導体層と前記裏面電極層とを前記透明電極層から離脱させる第2光強度を有し、且つ、前記中心領域を包囲する外部領域とが積極的に設けられた薄膜太陽電池パネルの製造方法。
Fターム (6件)：
5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051EA09 ,  5F051EA10 ,  5F051EA11 ,  5F051EA16
引用特許：
出願人引用 (9件)
  • 線状レーザビーム光学系
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-060454   出願人：三菱重工業株式会社
  • 薄膜太陽電池の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-197606   出願人：富士電機株式会社
  • 特開昭62-193182
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審査官引用 (15件)
  • 特開昭62-193182
  • 薄膜構成体のレーザ加工方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-287039   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト, シーメンスソーラーゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
  • 特開昭61-259524
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