薄膜太陽電池モジュールの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166673
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353816
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】薄膜太陽電池モジュールを構成する各層を高精度でスクライブできる方法を提供し、これにより単位セル間の分離領域の面積を減少させて薄膜太陽電池モジュールの高集積化を図り、その発電特性を大幅に改善する。【解決手段】基板上に透明電極を形成してレーザースクライブする工程と、透明電極上に半導体層を形成してレーザースクライブする工程と、半導体層上に裏面電極を形成してレーザースクライブする工程とを有する薄膜太陽電池モジュールの製造方法において、前記各層レーザースクライブ工程におけるスクライブ時基板温度を設定値±10°C以内の範囲に調整する。

請求項（抜粋）：

基板上に透明電極層を形成してレーザースクライブする工程と、透明電極層上に半導体層を形成してレーザースクライブする工程と、半導体層上に裏面電極層を形成してレーザースクライブする工程とを有する薄膜太陽電池モジュールの製造方法において、前記各層レーザースクライブ工程におけるスクライブ時基板温度を設定値±10°C以内の範囲に調整することを特徴とする薄膜太陽電池モジュールの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , B23K 26/00 , H01L 21/301

FI (3件)：

H01L 31/04 S , B23K 26/00 D , H01L 21/78 B

Fターム (13件)：

4E068AD01 , 4E068CB06 , 4E068DA09 , 5F051AA03 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051EA09 , 5F051EA10 , 5F051EA11 , 5F051EA16 , 5F051EA20 , 5F051FA02 , 5F051GA03

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭59-225896
特開昭60-227484
レーザ加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-196427 出願人：株式会社ニコン

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