特許
J-GLOBAL ID：201003038589723400

III族窒化物半導体の製造方法

発明者：
木下 亨

木下 亨 について


出願人/特許権者：
株式会社トクヤマ

株式会社トクヤマ について


代理人 (2件)： 前田 均 ,  鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-109830
公開番号（公開出願番号）：特開2010-258375
出願日： 2009年04月28日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：
【課題】結晶成長時に結晶中に取り込まれる不純物量を低減して、Al含有率が高いIII族窒化物半導体を品質よく製造する方法を提供する。【解決手段】基板11上に、組成式AlAGaBInCNで表され、A+B+C=1.0,B≧0,C≧0,0.5≦A≦1.0である関係を満足するAlGaInN層13が形成されたIII族窒化物半導体を製造する方法であって、反応炉1内に設置したダミー基板上に、組成式AlXGaYInZNで表され、X+Y+Z=1.0,Y≧0,Z≧0,0.5≦X≦1.0であり、かつY≦B、Z≦Cである関係を満足するダミー層を1100°C以上の温度で形成する準備処理工程と、反応炉内からダミー基板を取り出し、ダミー基板とは異なる基板11を反応炉1内に設置し、該基板11上に、組成式AlAGaBInCNで表される前記AlGaInN層を形成する第一製造工程と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、組成式AlAGaBInCNで表され、前記組成式中のA、BおよびCが、A+B+C=1.0,B≧0,C≧0,0.5≦A≦1.0である関係を満足するAlGaInN層が形成されたIII族窒化物半導体を製造する方法であって、 反応炉内にダミー基板を設置し、該ダミー基板上に、組成式AlXGaYInZNで表され、前記組成式中のX、YおよびZが、X+Y+Z=1.0,Y≧0,Z≧0,0.5≦X≦1.0であり、かつY≦B、Z≦Cである関係を満足するダミー層を1100°C以上の温度で形成する準備処理工程と、 反応炉内から前記ダミー層が形成された前記ダミー基板を取り出し、前記ダミー基板とは異なる基板を該反応炉内に設置し、該基板上に、組成式AlAGaBInCNで表される前記AlGaInN層を形成する第一製造工程と、 を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/205
FI (1件)：
H01L21/205
Fターム (15件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE23 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045EB11
引用特許：
審査官引用 (2件)

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