特許

J-GLOBAL ID：200903009971553696

IIIV族窒化物膜の製造方法および製造装置

発明者： 柴田 智彦 ,  中村 幸則 ,  田中 光浩 ,  浅井 圭一郎
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-347735
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151419
出願日： 2000年11月15日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】MOCVD法によって特性が良好なAlxGayInzN(ただしx+y+z=1)膜をエピタキシャル成長させるIIIV族窒化物膜の製造方法および装置を提供する。【解決手段】反応管11の中央にサセプタ13を介して加熱される基板12を配置し、反応管の一端からトリメチルアルミニウムガスおよびアンモニアガスを含む原料ガスおよびキャリアガスを導入し、トリメチルアルミニウムガスおよびアンモニアガスの反応によって生成されるAlN膜を基板の表面に成膜する。基板12を支持するサセプタ13の表面は1000°Cの高温に加熱されるが、この表面にAlN膜21をコーティングしておき、ここにAlNのパーティクルが堆積されないようにして、パーティクルが基板上のAlN膜に移ることによる特性の劣化を防止する。

請求項（抜粋）：

有機金属ガスおよびアンモニアガスを含む原料ガスと直接接触する内壁の、ほぼ1000°C以上の高温に加熱される部分の表面にAlaGabIncN(ただしa+b+c=1,a>0)膜をコーティングした反応管内に原料ガスをキャリアガスと共に導入し、有機金属ガスとアンモニアガスとの反応により生成される金属窒化物を、加熱されたサセプタによって支持された基板に堆積させてAlxGayInzN(ただしx+y+z=1)膜をエピタキシャル成長させて成膜することを特徴とするIIIV族窒化物膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D

Fターム (15件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DB08 ,  4G077EG04 ,  4G077EG30 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB14 ,  5F045DP04 ,  5F045EC05 ,  5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-092008   出願人：ローム株式会社
• 高温サセプタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-186616   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体製造装置及び半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-161550   出願人：松下電器産業株式会社