特許
J-GLOBAL ID：200903012373676385

半導体製造装置及び半導体の製造方法

発明者：
石田 昌宏

石田 昌宏 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-161550
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345268
出願日： 2000年05月31日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 気相成長法を用いた半導体製造装置において、成長中の半導体に汚染物質が混入しないようにする。【解決手段】 反応管10の底面上には、該底面の開口部を貫通してその底部を露出させた基板保持具としての黒鉛よりなるサセプタ15が気密に填め込まれている。サセプタ15の表面には、膜厚が約200μmのSiCよりなる下地膜15aが形成されている。反応管10の内面には、導入ガスの上流側部分及びサセプタ15の上方部分及び該サセプタ15における反応容器10内に露出する部分に、膜厚が約50μmのAlNよりなる汚染防止膜17が形成されている。
請求項（抜粋）：
反応容器内の基板保持具上に保持された基板の上に原料ガスを導入しながら半導体を成長させる半導体製造装置であって、前記反応容器の内面における前記原料ガスの上流側部分又は前記基板保持具の上方部分に、前記基板上に成長する一の半導体に含まれる元素を含む他の半導体よりなる汚染防止膜を備えていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 J
Fターム (26件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030GA02 ,  4K030KA47 ,  4K030LA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045BB14 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB03 ,  5F045EB11 ,  5F045EC05 ,  5F045EF02 ,  5F045EK21 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045GB11
引用特許：
審査官引用 (8件)
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