特許

J-GLOBAL ID：201003038848628526

薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置

発明者： 八重樫 裕之
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-148842
公開番号（公開出願番号）：特開2010-034534
出願日： 2009年06月23日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：

【課題】本発明の目的は、アモルファス酸化物半導体を用いたTFTであって、OFF電流が低く、高ON/OFF比を有し、かつ閾値変化の少ない駆動安定性に優れたTFTを提供することにある。【解決手段】基板上に、少なくとも、該基板側から順に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極、並びに保護膜を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層がIn、Sn、Zn、及びCdよりなる群より選ばれる少なくとも1種の金属を有するアモルファス酸化物を含有する層であり、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間にGa、Al、Mg、Ca及びSiよりなる群より選ばれる少なくとも1種の金属を含有する酸化物又は窒化物を含有する抵抗層を有する薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも、該基板側から順に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極、並びに保護膜を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層がIn、Sn、Zn、及びCdよりなる群より選ばれる少なくとも1種の金属を有するアモルファス酸化物を含有する層であり、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間にGa、Al、Mg、Ca及びSiよりなる群より選ばれる少なくとも1種の金属を含有する酸化物又は窒化物を含有する抵抗層を有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  C01G 15/00 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/02

FI (8件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618F ,  C01G15/00 Z ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/02

Fターム (84件)：

2H092GA50 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA35 ,  2H092JB57 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA13 ,  2H092KA18 ,  2H092KB24 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB08 ,  3K107CC11 ,  3K107CC24 ,  3K107CC43 ,  3K107CC45 ,  3K107DD17 ,  3K107EE04 ,  5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN04 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325366   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 薄膜デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-217272   出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社

審査官引用 (2件)

• 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-325366   出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
• 薄膜デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-217272   出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社