特許
J-GLOBAL ID：201003038959215069

光半導体素子及びその製造方法

発明者：
平山 秀樹

平山 秀樹 について

, 
柴田 智彦

柴田 智彦 について


出願人/特許権者：
独立行政法人理化学研究所

独立行政法人理化学研究所 について

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DOWAエレクトロニクス株式会社

DOWAエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (4件)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章 ,  今村 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-046434
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205767
出願日： 2009年02月27日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】III族窒化物半導体を用いた紫外発光素子における発光効率を高める【解決手段】AlxGa1-xNの電子ブロック層(厚さ20nm)のx値が大きいほど(a〜c)、260nm帯でのPL強度が大きくなり、一方、Alのモル比が0.89(図の符号a)においては、290nm付近にブロードな発光ピーク、すなわちp-AlGaN層21による発光ピークが観測されており、MQWからの電子のオーバーフローが生じていること、Alのモル比が0.97、1.0の場合には、この波長帯でのPL強度はほとんど観測されず、高い電子ブロック層を用いることで、電子のオーバーフローが良好に抑制されていることがわかった。このように、Alのモル比の高い、例えば、Alのモル比として0.95以上のAl(Ga)N電子ブロック層を設けることで、外部量子効率を高めるとともに、発光強度自体も高くすることができ、実用性の高い良好な値を得ることができることがわかる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
AlN系III族窒化物単結晶上に形成する発光素子において、高濃度n型III族窒化物層と、 n型又はi型のIII族窒化物障壁層とn型又はi型のIII族窒化物井戸層とからなる多重量子井戸構造と、 i型のIII族窒化物ファイナルバリア層と、 p型III族窒化物層と、 前記i型III族窒化物ファイナルバリア層と前記p型III族窒化物層との間に形成され、前記i型III族窒化物ファイナルバリア層に対して電子のエネルギー障壁となるp型又はi型のAlzGa1-zN層(0.95<z<=1)からなる電子ブロック層と を有することを特徴とする発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/06 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L33/00 112 ,  H01L33/00 186 ,  H01L21/205
Fターム (19件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA65 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 窒化物半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-402091   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-009373   出願人：三菱電機株式会社
引用文献：
審査官引用 (1件)

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