特許

J-GLOBAL ID：200903017430275726

半導体発光素子

発明者： 蔵本 恭介
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-009373
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235107
出願日： 2007年01月18日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】発光効率が高い半導体発光素子を得る。【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、基板上に、第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型のInxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1)からなる電子障壁層と、第2導電型の第2クラッド層とが順に積層され、前記電子障壁層は前記活性層及び前記第2クラッド層よりもバンドギャップが大きく、前記電子障壁層の厚さが2nm以上7nm以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体発光素子であって、 基板上に、第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型のInxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1)からなる電子障壁層と、第2導電型の第2クラッド層とが順に積層され、前記電子障壁層は前記活性層及び前記第2クラッド層よりもバンドギャップが大きく、前記電子障壁層の厚さが2nm以上7nm以下であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01S 5/323

FI (1件)：

H01S5/323 610

Fターム (14件)：

5F173AA08 ,  5F173AF25 ,  5F173AF36 ,  5F173AG12 ,  5F173AG17 ,  5F173AG21 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP82 ,  5F173AR23 ,  5F173AR25 ,  5F173AR75

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-035170   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (3件)

• 回折格子作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-194056   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-140760   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-041171   出願人：ソニー株式会社