特許
J-GLOBAL ID：201003039779996824

有機EL素子の製造方法及び有機EL層の転写装置

発明者：
藤田 悦昌

藤田 悦昌 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 前田 弘 ,  竹内 祐二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-297697
公開番号（公開出願番号）：特開2010-123474
出願日： 2008年11月21日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：
【課題】有機EL層への異物の混入や損傷を阻止することができ、しかも製造コストの点で優れた有機EL素子の製造方法及び有機EL層の転写装置を提供する。【解決手段】本発明の有機EL素子300の製造方法は、転写基板615上に有機EL層330を形成する有機EL層形成工程と、有機EL層形成工程で有機EL層330を形成した転写基板615の有機EL層側に被転写基板624を重ね合わせて輻射線を照射することにより有機EL層330を転写基板615から被転写基板624に転写する有機EL層転写工程と、有機EL層転写工程で有機EL層330を被転写基板624に転写した後の転写基板200に残った残渣を輻射線を照射することにより除去する残渣除去工程と、を備える。有機EL層形成工程、有機EL層転写工程、及び残渣除去工程はいずれも真空中で行われる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
転写基板上に有機EL層を形成する有機EL層形成工程と、 上記有機EL層形成工程で有機EL層を形成した転写基板の有機EL層側に被転写基板を重ね合わせて輻射線を照射することにより有機EL層を転写基板から被転写基板に転写する有機EL層転写工程と、 上記有機EL層転写工程で有機EL層を被転写基板に転写した後の転写基板に残った残渣を輻射線を照射することにより除去する残渣除去工程と、 を備え、 上記有機EL層形成工程、上記有機EL層転写工程、及び上記残渣除去工程をいずれも真空中で行うことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
IPC (2件)：
H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (2件)：
H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (9件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107FF17 ,  3K107GG00 ,  3K107GG02 ,  3K107GG09 ,  3K107GG28 ,  3K107GG32
引用特許：
出願人引用 (2件)

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