特許
J-GLOBAL ID：201003040252818950
ジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードに関する方法と、そのダイオードおよびその使用方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 田中 光雄
, 仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-230498
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050468
出願日： 2009年10月02日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：
【課題】SiCの多くの利点が失われず、静的な動作損失が膨大に増加することがないジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】価電子帯と伝導帯との間に2eVを超えるエネルギーギャップを有する半導体材料のジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードの温度依存性を制御する方法は、このダイオードの製造中に、意図された使用に適合するダイオードの特性の温度依存性を得るように、ダイオードのグリッド部のオン状態抵抗を調節することを含む。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
SiCのジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードの温度依存性を制御する方法であって、
上記ダイオードを製造するときに、次のステップ、すなわち、
1) 上記材料からなる次の半導体層、すなわち、nまたはpの第1の導電型によって高くドープされた基体層(1)と、上記第1の導電型によって低くドープされたドリフト層(2)とを、各々の表面で、エピタキシャル成長するステップと、
2) ダイオードのグリッド部を形成するために、上記基体層から垂直方向に距離をおいた位置に、上記ドリフト層にドープされたエミッタ層領域(4)を形成するように、第1の導電型と逆であるnまたはpの第2の導電型のドーパントを、上記ドリフト層において横方向に間隔をおいた領域に導入し、上記グリッド部は、上記ドープされたエミッタ層領域(4)およびそこに隣接したドリフト層領域(7)を含んでいると共に、上記ドリフト層(2)まで延在しているステップと、
3) 上記ドリフト層領域(7)にショットキ接続を形成するために、ドリフト層の表面に、金属層(5)を塗布すると共に、そこに接触を形成するために、エミッタ層領域(4)の少なくとも一つの表面に、金属層(5)を塗布するステップと
が実行され、
少なくとも上記ステップ2)は、上記グリッド部(4,7)の全オン状態抵抗が、ダイオードの全オン状態抵抗の少なくとも80%を担うように、上記ダイオードのグリッド部(4,7)のオン状態抵抗を調節するために実行され、そのことによって、ダイオードの温度係数が、負から正に移行するダイオードの動作のクロスオーバー点を決定するダイオードのオン状態抵抗に関与することを特徴とするSiCのジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードの温度依存性を制御する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 P
, H01L29/48 D
4M104AA03
, 4M104FF32
, 4M104GG03
