特許
J-GLOBAL ID：201003040783753470

超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法

発明者：
戸島 孝之

戸島 孝之 について

, 
寺田 和雄

寺田 和雄 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-001786
公開番号（公開出願番号）：特開2010-161165
出願日： 2009年01月07日
公開日（公表日）： 2010年07月22日
要約：
【課題】パターン倒れの発生を抑えると共に、スループットが高く、メンテナンス周期の長い超臨界処理装置等を提供する。【解決手段】基板Wに付着した液体を超臨界状態の処理流体によって除去する超臨界処理装置3において、加熱部323は処理容器31内に供給された処理流体を超臨界状態とするために当該処理流体を加熱し、冷却機構322は基板Wが載置台321に載置されるまでに基板Wからの液体の蒸発を抑えるため、前記加熱部323から当該基板へと熱が伝わる領域を強制冷却する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
密閉可能な処理容器内の載置台に液体の付着した基板が載置され、前記液体が付着した基板に対して、超臨界状態の処理流体によって液体を除去する処理を行う超臨界処理装置において、 前記処理容器内に前記処理流体を供給する処理流体供給部と、 処理容器内に供給された処理流体を超臨界状態とするために処理流体を加熱する加熱部と、 前記基板に処理流体が供給されるまでに基板からの前記液体の蒸発を抑えるために、前記加熱部から当該基板への伝熱を抑制する伝熱抑制機構と、を備えたことを特徴とする超臨界処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
H01L21/304 651M ,  H01L21/30 569E
Fターム (22件)：
5F046LA12 ,  5F157AA42 ,  5F157AA71 ,  5F157AA73 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC03 ,  5F157AC15 ,  5F157BB22 ,  5F157CB03 ,  5F157CB14 ,  5F157CB26 ,  5F157CB27 ,  5F157CE73 ,  5F157CF16 ,  5F157CF34 ,  5F157DA21 ,  5F157DB33 ,  5F157DB37 ,  5F157DB46 ,  5F157DC88
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 超臨界処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-234193   出願人：エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
  • 超臨界流体処理装置及びその方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-412702   出願人：株式会社日立サイエンスシステムズ
  • 超臨界乾燥方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-112483   出願人：日本電信電話株式会社

前のページに戻る

TOP

BOTTOM