特許
J-GLOBAL ID：201003041272964046

半導体装置及びその作製方法

発明者：
桑原 秀明

桑原 秀明 について

, 
秋元 健吾

秋元 健吾 について

, 
佐々木 俊成

佐々木 俊成 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-256683
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141304
出願日： 2009年11月10日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：
【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、電界効果移動度を向上させることを課題の一とする。また、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることを課題の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、該酸化物半導体層の上に、該酸化物半導体より導電率が高い半導体層又は導電層を形成することによって、該薄膜トランジスタの電界効果移動度を向上させることができる。また、酸化物半導体層と薄膜トランジスタの保護絶縁層との間に該酸化物半導体より導電率が高い半導体層又は導電層を形成することによって、酸化物半導体層の組成の変化や膜質の劣化を防ぎ、薄膜トランジスタの電気的特性を安定させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に半導体層とを有し、 前記酸化物半導体層の一部は、前記ソース電極層と前記ドレイン電極層の間で、前記ゲート絶縁層と、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の側面部と接し、 前記酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、 前記半導体層の導電率は、前記酸化物半導体層の導電率より高く、 前記酸化物半導体層と前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層とは電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (6件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 618E
Fターム (62件)：
5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK41 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM03 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (2件)

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