特許

J-GLOBAL ID：201003042125438297

誘電体薄膜を用いたウエハ貫通電気相互接続及びその他構造の形成

発明者： シブ,リオール
出願人/特許権者： ハイマイト アクティーゼルスカブ
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  蛯谷 厚志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-529799
公開番号（公開出願番号）：特表2010-505259
出願日： 2007年09月25日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

半導体ウエハにウエハ貫通相互接続を提供するものであり、半導体ウエハの場合により凹状になった部分に犠牲膜(110)を形成すること、そのウエハの片面に面する犠牲膜の露出部分を覆うようにウエハの片面上に金属被膜(124)を堆積すること、ウエハの他面に面する犠牲膜の露出部分を場合によりエッチングした後に除去すること、及び既に堆積した金属被膜に接触するように該ウエハの他面上に金属被膜(130)を堆積することを含む。薄い金属膜を使用してコンデンサ型及び他の構造を提供するための技術も開示する。

請求項（抜粋）：

第1面と第2面を有する半導体ウエハにウエハ貫通相互接続を提供する方法であって、 該ウエハの該第2面に1以上の微小ビアをエッチングすること; 該第2面上に、該1以上の微小ビアの表面を覆うエッチング停止層を設けること; 該1以上の微小ビアをエッチングしたエリアで、該エッチング停止層の一部がキャビティ内に露出するような深さまで該ウエハの該第1面に該キャビティをエッチングすること; 該ウエハの片面上に金属被膜を堆積すること; 続いて、該1以上の微小ビアをエッチングした箇所に対応するエリアから、該エッチング停止層の領域を除去すること; 及び 該ウエハの他面に金属被膜を堆積して、該第1面上に堆積した該金属被膜を該第2面上に堆積した該金属被膜と接触させて該1以上の微小ビアがエッチングされた箇所に対応するエリアに該ウエハ貫通相互接続を形成すること、 を含む、ウエハ貫通相互接続提供方法。

IPC (6件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/306 ,  H01L 23/02

FI (5件)：

H01L21/88 J ,  H01L27/04 C ,  H01L27/04 L ,  H01L21/306 B ,  H01L23/02 Z

Fターム (34件)：

5F033HH11 ,  5F033MM30 ,  5F033NN32 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS13 ,  5F033SS27 ,  5F033VV08 ,  5F033VV10 ,  5F033VV12 ,  5F033VV13 ,  5F033WW02 ,  5F033XX19 ,  5F033XX37 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AZ04 ,  5F038CA12 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F043AA02 ,  5F043FF01 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-256268   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-102865
  
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-011450   出願人：沖電気工業株式会社