特許
J-GLOBAL ID:201003042166179514

向上した電極構造を有する発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 恩田 博宣 ,  恩田 誠 ,  本田 淳 ,  池上 美穂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-200628
公開番号(公開出願番号):特開2010-067963
出願日: 2009年08月31日
公開日(公表日): 2010年03月25日
要約:
【課題】向上した電極構造を有する発光素子を提供する。【解決手段】発光素子は、第1及び第2の半導体層と、第1及び第2の半導体層の間に設けられた発光層とを含む。また、発光素子は、向上した電極構造を含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1及び第2の半導体層と、 第1及び第2の半導体層の間に設けられた発光層と、 前記第1の半導体層上に設けられた第1の電極パターン層と、 前記第2の半導体層上に設けられた第2の電極パターン層とを備え、 前記第2の電極パターン層は、電極本体と、電極本体から前記第1の電極パターン層に向かって延びる複数の分岐電極とを含む発光素子。
IPC (2件):
H01L 33/38 ,  H01L 33/32
FI (2件):
H01L33/00 210 ,  H01L33/00 186
Fターム (4件):
5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 半導体発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-280692   出願人:昭和電工株式会社
  • LEDチップ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-124555   出願人:松下電工株式会社
  • 窒化物半導体発光ダイオード
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2007-302832   出願人:三菱電線工業株式会社

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