特許
J-GLOBAL ID：200903060385920669

窒化物半導体発光ダイオード

発明者：
岡川 広明

岡川 広明 について

, 
高野 剛志

高野 剛志 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-302832
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091942
出願日： 2007年11月22日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】加工基板の凹凸に起因して生じる、素子のn型層側での横方向の電流拡散性に関する異方性と、LEDのVfとの関係を明らかにし、該異方性に対する各部の構成を最適化し、Vfをより低下させること。【解決手段】絶縁体からなる凹凸状の結晶成長面を有する基板の上に、n型不純物がドープされたn型窒化物半導体層(n型層)が形成され、その上に、発光部と、n型オーミック電極P1とが形成される。基板の上方から見たとき、電極P1は、発光部に外接する方形EFGHの辺EFを含む直線と、辺GHを含む直線とに挟まれた領域に、辺HEとの距離が、他の3辺との距離のいずれよりも大きくなるように形成され、結晶成長面においては、その凹部が、辺HEに直交する方向に伸長しており、それによって、n型層における横方向の電流拡散性が、該方向において、他の方向よりも良好となり、Vfが低下している。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
絶縁体からなる凹凸状の結晶成長面を有する基板の上に、n型不純物がドープされたn型窒化物半導体層が形成され、該n型窒化物半導体層の上には、窒化物半導体からなる活性層とp型窒化物半導体層とp型オーミック電極とがこの順に積層された発光部と、n型オーミック電極とが、それぞれ異なる領域に形成されている窒化物半導体発光ダイオードであって、 前記基板の上方から見て、4つの辺の全てが前記発光部の外周に接するように前記発光部に外接する矩形を選ぶことができ、この矩形の対向する辺の組をそれぞれ(第1辺、第3辺)、(第2辺、第4辺)としたとき、 n型オーミック電極は、 第1辺を含む直線と、第3辺を含む直線とに挟まれた領域に、当該n型オーミック電極と第4辺との距離が、当該n型オーミック電極と第1辺との距離および第3辺との距離のいずれよりも大きくなるように、かつ、当該n型オーミック電極と第4辺との距離が、該距離が最大となるように前記矩形を選択したときの該距離の80%以上となるように、 形成されており、 前記n型窒化物半導体層は、前記結晶成長面の凹部に入り込んだ部分を有するとともに、その上面が平坦となっており、それによって、該n型窒化物半導体層には、該結晶成長面の凹部に対応した厚部と、凸部に対応した薄部とが存在し、 前記結晶成長面においては、その凹部が、前記第4辺に直交する方向に伸長しており、それによって、前記n型窒化物半導体層の厚部が該方向に伸長しており、それによって、該n型窒化物半導体層における横方向の電流拡散性が、前記第4辺に直交する方向において、他の方向よりも良好となっていることを特徴とする、窒化物半導体発光ダイオード。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41
FI (4件)：
H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 L
Fターム (19件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD91 ,  4M104FF01 ,  4M104GG04 ,  5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76 ,  5F041CA93
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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