特許
J-GLOBAL ID：201003042400464082
新規ジホスフィン化合物、その製造方法及びそれを含む金属錯体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中務 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-017385
公開番号（公開出願番号）：特開2010-173958
出願日： 2009年01月28日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：
【課題】不斉合成用触媒である遷移金属錯体の配位子として用いた際に、反応収率及びエナンチオ選択性が良好であって、しかも容易に合成できる新規ジホスフィン化合物を提供する。【解決手段】下記式で、代表的なジホスフィン化合物およびそれを配位子とした金属錯体を示す。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記式(1)で表されるジホスフィン化合物。
IPC (3件)：
C07F 9/50
, C07F 9/52
, C07F 15/00
C07F9/50
, C07F9/52
, C07F15/00 B
, C07F15/00 F
4H050AA01
, 4H050AA02
, 4H050AA03
, 4H050AB40
, 4H050WA15
, 4H050WA26
, 4H050WB16
, 4H050WB22
