チューナブル素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 出野知 , 蛯谷厚志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-219661
公開番号（公開出願番号）：特開2010-053399
出願日： 2008年08月28日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：

【課題】基板と強誘電体薄膜との格子ミスマッチによる歪みが効率的に緩和されるペロブスカイト構造強誘電体薄膜を提供すること。【解決手段】本発明によるチューナブル素子は、基板上に(111)エピタキシャル成長したペロブスカイト構造強誘電体薄膜を含んでなる。特に、ペロブスカイト構造強誘電体薄膜は、(111)エピタキシャル成長した(BaxSr1-x)TiO3またはPb(ZrxTi1-x)O3{0<x<1}からなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に(111)エピタキシャル成長したペロブスカイト構造強誘電体薄膜を含んでなるチューナブル素子。

IPC (6件)：

C23C 14/08 , H01L 21/316 , H01G 4/33 , H01G 4/10 , C30B 23/08 , C30B 29/32

FI (6件)：

C23C14/08 K , H01L21/316 Y , H01G4/06 102 , H01G4/10 , C30B23/08 , C30B29/32 C

Fターム (31件)：

4G077BC42 , 4G077DA14 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA05 , 4G077SB03 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4K029BA50 , 4K029BB09 , 4K029BC00 , 4K029CA06 , 4K029DB05 , 4K029DC39 , 4K029EA03 , 4K029EA05 , 4K029EA08 , 5E082BC11 , 5E082BC14 , 5E082BC40 , 5E082FF05 , 5E082FG03 , 5E082FG42 , 5E082FG54 , 5E082MM05 , 5E082PP03 , 5E082PP06 , 5E082PP10 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF14

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