半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：速水進治 , 野本可奈 , 天城聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-094877
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245432
出願日： 2009年04月09日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：

【課題】デジタル回路と高周波回路とを混載した半導体装置において、デジタル回路の微細化を進めつつ、高周波回路の配線間容量を小さくする。【解決手段】高周波回路100の第1トランジスタ120,140の第1ゲート電極124,144から第1コンタクト162,166までの距離aは、デジタル回路200の第2トランジスタ220,240の第2ゲート電極224,244から第2コンタクト262,266までの距離bより大きい。第1コンタクト162,166は第1トランジスタ120,140のドレイン126,146に接続しており、第2コンタクト262,266は第2トランジスタ220,240のドレイン226,246に接続している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電力供給端子および第1グランド端子に接続している高周波回路と、第2電力供給端子および第2グランド端子に接続しているデジタル回路と、前記高周波回路の一部である第1トランジスタと、前記デジタル回路の一部である第2トランジスタと、前記第1トランジスタのソース又はドレインに接続する第1コンタクトと、前記第2トランジスタのソース又はドレインに接続する第2コンタクトと、を備え、前記第1トランジスタのゲート電極である第1ゲート電極から前記第1コンタクトまでの距離aは、前記第2トランジスタのゲート電極である第2ゲート電極から前記第2コンタクトまでの距離bより大きい半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 27/088

FI (4件)：

H01L27/08 321F , H01L29/78 301X , H01L21/28 L , H01L27/08 102D

Fターム (40件)：

4M104CC01 , 4M104EE09 , 4M104FF40 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AA01 , 5F048AA09 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB01 , 5F048BC01 , 5F048BC02 , 5F048BC03 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BE09 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG13 , 5F140AA01 , 5F140AA11 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BH02 , 5F140BH03 , 5F140BH12 , 5F140BH15 , 5F140BH47 , 5F140BJ27 , 5F140BJ28 , 5F140CA07 , 5F140CA10 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置及び無線通信システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-171746 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特許第3282375号
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-307466 出願人：松下電器産業株式会社

全件表示

前のページに戻る