特許
J-GLOBAL ID:201003044788637660

セラミック基体、放熱基体および電子装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-128939
公開番号(公開出願番号):特開2010-030280
出願日: 2009年05月28日
公開日(公表日): 2010年02月12日
要約:
【課題】 セラミック表面に形成される凹凸が、結晶粒径より小さい、超微細なものであると、W等の高融点金属ペーストまたはCuやAg-Cu等にTi、Zr、Hf、Nb等の活性金属を添加したメタライズ組成物のペーストを塗布した後、加熱してもこのセラミック表面では十分なアンカー効果が得られず、メタライズ層はセラミック基板に対して高い密着力を得ることができない。【解決手段】 平均結晶粒径より大きな凹凸を有する窪みおよび/または平均結晶粒径より大きな凹凸を有する突起を複数備えているセラミック基体1とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
平均結晶粒径より大きな凹凸を有する窪みおよび/または平均結晶粒径より大きな凹凸を有する突起を複数備えていることを特徴とするセラミック基体。
IPC (6件):
B28B 11/08 ,  C04B 35/00 ,  C04B 37/02 ,  H05K 7/20 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/15
FI (6件):
B28B11/08 ,  C04B35/00 J ,  C04B37/02 Z ,  H05K7/20 C ,  H01L23/36 C ,  H01L23/14 C
Fターム (34件):
4G026BA03 ,  4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BB22 ,  4G026BC01 ,  4G026BD11 ,  4G026BE04 ,  4G026BF16 ,  4G026BF17 ,  4G026BF24 ,  4G026BG02 ,  4G026BG23 ,  4G026BH06 ,  4G026BH07 ,  4G030AA36 ,  4G030AA51 ,  4G030AA52 ,  4G030BA12 ,  4G030CA07 ,  4G055AA08 ,  4G055AC01 ,  4G055BA44 ,  5E322AA01 ,  5E322AB09 ,  5F136BA30 ,  5F136BB04 ,  5F136DA27 ,  5F136EA12 ,  5F136FA03 ,  5F136FA12 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA18 ,  5F136GA30
引用特許:
審査官引用 (6件)
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