特許
J-GLOBAL ID：201003045323832285

基板のエッチング方法及びシステム

発明者：
宇賀神 肇

宇賀神 肇 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 塩島 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-045893
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245512
出願日： 2010年03月02日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：
【課題】シリコンの表面上にシリコン酸化膜が形成された基板をエッチングする方法において、コンタクト抵抗を低くできるエッチング方法を提供する。【解決手段】ハロゲン元素を含むガス、及び塩基性ガスを基板W上に供給し、シリコン酸化膜にハロゲン元素を含むガス及び塩基性ガスを化学反応させた凝縮層105を生成して、シリコン酸化膜104をエッチングする。F2ガス、XeF2ガス及びClF3ガスの群から選ばれる少なくとも一つを含むシリコンエッチングガスを基板W上に供給し、シリコンエッチングガスによって基板W上のシリコンをエッチングする。シリコン酸化膜104のエッチング及びシリコンのエッチングの後、基板W上の凝縮層105を加熱して除去する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
シリコンの表面上にシリコン酸化膜が形成された基板をエッチングする方法であって、 ハロゲン元素を含むガス、及び塩基性ガスを基板上に供給し、シリコン酸化膜に前記ハロゲン元素を含むガス及び前記塩基性ガスを化学反応させた凝縮層を生成して、シリコン酸化膜をエッチングするシリコン酸化膜エッチング工程と、 F2ガス、XeF2ガス及びClF3ガスの群から選ばれる少なくとも一つを含むシリコンエッチングガスを基板上に供給し、前記シリコンエッチングガスによってシリコンをエッチングするシリコンエッチング工程と、 前記シリコン酸化膜エッチング工程及び前記シリコンエッチング工程の終了後、基板上の前記凝縮層を加熱して除去する凝縮層除去工程と、を備えるエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L21/302 102 ,  H01L21/28 L ,  H01L21/90 C
Fターム (32件)：
4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD19 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104HH15 ,  5F004AA14 ,  5F004DA00 ,  5F004DA19 ,  5F004DA20 ,  5F004DA23 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004FA01 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK00 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK05 ,  5F033KK06 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR15 ,  5F033XX09
引用特許：
出願人引用 (2件)

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