特許
J-GLOBAL ID：201003045726486387
太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-015508
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177264
出願日： 2009年01月27日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：
【課題】 簡易に作製することが可能な高効率の太陽電池素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 受光面と前記受光面の裏面とを含み、結晶粒の長手方向が基板の厚み方向に対してほぼ垂直となる一導電型を有する多結晶シリコン基板を備え、前記多結晶シリコン基板の裏面側に真性の第一薄膜層を備え、前記多結晶シリコン基板の裏面側の第一領域では、前記第一薄膜層の上に逆導電型を示す第二薄膜層と、第一電極を有し前記多結晶シリコン基板の裏面側の第二領域では、前記第一薄膜層の上に一導電型を示す第三薄膜層と、第二電極を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
受光面と前記受光面の裏面とを含み、結晶粒の長手方向が基板の厚み方向に対してほぼ垂直となる一導電型を有する多結晶シリコン基板を備え、
前記多結晶シリコン基板の裏面側に真性の第一薄膜層を備え、
前記多結晶シリコン基板の裏面側の第一領域では、前記第一薄膜層の上に逆導電型を示す第二薄膜層と、第一電極とを有し
前記多結晶シリコン基板の裏面側の第二領域では、前記第一薄膜層の上に一導電型を示す第三薄膜層と、第二電極とを有することを特徴とする太陽電池素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F051AA03
, 5F051DA20
, 5F051FA30
, 5F151AA03
, 5F151DA20
, 5F151FA30
