特許

J-GLOBAL ID：201003045764956206

グラフェン被覆部材とその製造方法。

発明者： 藤田 大介 ,  鷺坂 恵介 ,  大西 桂子
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-261875
公開番号（公開出願番号）：特開2010-089996
出願日： 2008年10月08日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：

【課題】 本発明は、新たな構造のグラフェン被覆部材とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 発明1のグラフェン被覆部材は、 所望形状の金属基材表面にグラフェン膜を有するグラフェン被覆部材であって、前記基材は炭素が固溶されており、前記グラフェン膜は、前記基材の表面に析出された固溶炭素からなることを特徴とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

所望形状の金属基材表面にグラフェン膜を有するグラフェン被覆部材であって、前記基材は炭素が固溶されており、前記グラフェン膜は、前記基材の表面に析出された固溶炭素からなることを特徴とするグラフェン被覆部材。

IPC (1件)：

C01B 31/04

FI (1件)：

C01B31/04 101Z

Fターム (20件)：

4G146AA02 ,  4G146AA07 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD23 ,  4G146AD28 ,  4G146AD36 ,  4G146AD40 ,  4G146BA02 ,  4G146BB02 ,  4G146BB05 ,  4G146BB06 ,  4G146BB09 ,  4G146BB10 ,  4G146BB22 ,  4G146BC02 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC38B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶グラフェンシートおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-318418   出願人：三星電子株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

• 炭素固溶Ni(111)上におけるグラファイト(0001)テラスとカーボンナノワイヤの競合成長
• Graphene segregated on Ni surfaces and transferred to insulators
• CuNi合金における固溶炭素の表面析出現象とその応用
• Highly ordered graphene for two dimensional electronics