特許
J-GLOBAL ID：201003046170375960

光電気セルの製造方法

発明者：
水野 隆喜

水野 隆喜 について

, 
小柳 嗣雄

小柳 嗣雄 について


出願人/特許権者：
日揮触媒化成株式会社

日揮触媒化成株式会社 について


代理人 (2件)： 牧村 浩次 ,  高畑 ちより
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-197846
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040172
出願日： 2008年07月31日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】少ない回数で均一、かつ、加熱処理温度が200°C以下であっても強度に優れた半導体膜が形成された光電気セルの製造方法を提供する。【解決手段】光電気セルは、表面に電極層1を有し、必要に応じて該電極層1上に酸化チタン薄膜7を有し、電極層1上、あるいは酸化チタン薄膜7上に光増感材を吸着した多孔質金属酸化物半導体膜2が形成されてなる基板5と、表面に電極層3を有する基板6とが、電極層1および電極層3が対向するように配置してなり、多孔質金属酸化物半導体膜2と電極層3との間に電解質4が封入されている。多孔質金属酸化物半導体膜2は、平均粒子径0.5〜10μm、細孔容積0.1〜0.8ml/gの範囲にある多孔質酸化チタン微粒子集合体と酸化チタン微粒子とを含む塗料を、電極層1表面に塗布し、100〜200°Cで加熱処理される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に電極層(1)を有する基材(1)表面に、光増感材が吸着した多孔質金属酸化物半導体膜(1)を形成したのち、 次に、表面に電極層(2)を有する基板(2)とを、該基材(1)とを前記電極層(1)および電極層(2)が対向し、かつ離間するように配置させ、 多孔質金属酸化物半導体膜(1)と電極層(2)との間に電解質層を封入する光電気セルの製造方法において、 多孔質金属酸化物半導体膜(1)が、平均粒子径が0.5〜10μmの範囲にあり、細孔 容積が0.1〜0.8ml/gの範囲にある多孔質酸化チタン微粒子集合体と、酸化チタン微粒子とを含む光電気セル用多孔質金属酸化物半導体膜形成用塗料を、電極層(1)表面 に、塗布し、ついで、100〜200°Cで加熱処理することにより形成されることを特徴とする光電気セルの製造方法。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (26件)：
5F051AA14 ,  5F051BA14 ,  5F051CB13 ,  5F051FA02 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F151AA14 ,  5F151BA14 ,  5F151CB13 ,  5F151FA02 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032BB07 ,  5H032BB10 ,  5H032CC14 ,  5H032EE04 ,  5H032EE12 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (8件)
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