特許
J-GLOBAL ID：201003046849760692

固体撮像装置、その製造方法および撮像装置

発明者：
松本 拓治

松本 拓治 について

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山口 哲司

山口 哲司 について

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大木 進

大木 進 について

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田谷 圭司

田谷 圭司 について

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西村 豊

西村 豊 について

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糸長 総一郎

糸長 総一郎 について

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森 裕之

森 裕之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-037557
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056516
出願日： 2009年02月20日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】本発明は、画素部のMOSトランジスタ上で異なる2層のシリサイドブロック膜の一部が重なるように形成して、白傷、暗電流を低減することを可能にする。【解決手段】半導体基板11に、光電変換部21を備えた画素部12とその周辺に形成された周辺回路部13を有し、画素部12のゲート電極32の側壁にサイドウォール形成膜で形成された第1サイドウォール33と、周辺回路部13のゲート電極52の側壁にサイドウォール形成膜で形成された第2サイドウォール53と、光電変換部21上および画素部12のMOSトランジスタ30の一部上にサイドウォール形成膜で形成された第1シリサイドブロック膜71と、画素部12のMOSトランジスタ30上に、第1シリサイドブロック膜71の一部上に重なる第2シリサイドブロック膜72を有し、第1、第2シリサイドブロック膜71、72で画素部12のMOSトランジスタ30上が被覆されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に、入射光を光電変換して電気信号を得る光電変換部を備えた画素部と前記画素部の周辺に形成された周辺回路部を有し、 前記画素部のMOSトランジスタのゲート電極の側壁にサイドウォール形成膜で形成された第1サイドウォールと、 前記周辺回路部のMOSトランジスタのゲート電極の側壁に前記サイドウォール形成膜と同一層の膜で形成された第2サイドウォールと、 前記光電変換部上および前記画素部のMOSトランジスタの一部上に前記サイドウォール形成膜と同一層の膜で形成された第1シリサイドブロック膜と、 前記画素部のMOSトランジスタ上に、前記第1シリサイドブロック膜の一部上に重なる第2シリサイドブロック膜を有し、 前記第1シリサイドブロック膜と前記第2シリサイドブロック膜とで前記画素部のMOSトランジスタ上が被覆されている 固体撮像装置。
IPC (7件)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L27/14 A ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102D ,  H01L29/58 G ,  H01L21/90 C
Fターム (109件)：
4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD19 ,  4M104DD26 ,  4M104DD55 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104FF08 ,  4M104FF14 ,  4M104GG05 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH04 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA20 ,  4M118CA22 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  5F033HH07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS00 ,  5F033SS04 ,  5F033SS13 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX28 ,  5F048AA05 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BB03 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BD10 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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