特許
J-GLOBAL ID：201003047508629977

ガスセンサ

発明者：
平岩 千尋

平岩 千尋 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 特許業務法人ハートクラスタ ,  渡辺 征一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-177498
公開番号（公開出願番号）：特開2010-019555
出願日： 2008年07月08日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：
【課題】性能が長期間安定して維持され、特性が安定して製造歩留りが高く、応答速度が大きいガスセンサを提供する。【解決手段】 n型SiC基板1の表面から内部へと設けられたp型領域6と、p型領域の表面に配置された触媒3と、触媒3の上に位置するp側電極11と、ソース電極21およびドレイン電極22と、基板内でp型領域に接してソースとドレインとを繋ぐn型チャネルと、半導体基板のn型領域の裏面に位置するn側電極12とを備え、触媒3を介在させて、n側電極とp側電極との間に電圧を加えて、pn接合15に逆バイアス電圧を印加することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、 前記第1導電型半導体基板の表面から内部へと設けられた第2導電型領域と、 前記第2導電型領域の表面に電気的に接続されたガス感応層と、 前記ガス感応層の上に位置して電気的に接続された第2導電側電極と、 前記第2導電型領域を挟むように、前記表面に設けられた、ソース電極およびドレイン電極と、 前記半導体基板の中で前記第2導電側領域に接し、前記ソース電極とドレイン電極とを連絡する、第1導電型の通路と、 前記第1導電型の通路に連絡している表面または裏面に電気的に接続された第1導電側電極とを備え、 前記ガス感応層を介在させて、前記第1導電側電極と第2導電側電極との間に電圧を加えて、前記第2導電側領域と第1導電型の通路とのpn接合に逆バイアス電圧を印加することを特徴とする、ガスセンサ。
IPC (1件)：
G01N 27/00
FI (1件)：
G01N27/00 J
Fターム (8件)：
2G060AA02 ,  2G060AE19 ,  2G060AG06 ,  2G060AG08 ,  2G060BA07 ,  2G060BB09 ,  2G060DA12 ,  2G060DA14
引用特許：
出願人引用 (7件)
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