特許
J-GLOBAL ID：201003047804215452

パルスECDによる、組成変調された強磁性層を含むナノ構造の形成

発明者：
デリジャンニ、ハリクリア

デリジャンニ、ハリクリア について

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フワン、チャン

フワン、チャン について

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ロマンキウ、ルボミール、ティー

ロマンキウ、ルボミール、ティー について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (3件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-544828
公開番号（公開出願番号）：特表2010-515820
出願日： 2007年09月25日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：
【課題】本発明は、交互する異なった材料組成の第一強磁性層と第二強磁性層とを包含する構造を形成する方法に関する。【解決手段】最初に、少なくとも一つの開孔を有する支持マトリックスと、導電ベース層とを包含する基材が形成される。次いで、少なくとも一つの強磁性金属元素と、さらなる一つ以上の異なった金属元素を包含する電気メッキ液の中で該基材の電気メッキが行われる。交互する高電位と低電位とを有するパルス電流を基材構造の導電ベース層に印加し、これにより、支持マトリックスの開孔中に、交互する異なった材料組成の層を形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
自体を貫通し導電ベース層上に伸びる少なくとも一つの開孔を有する支持マトリックスを含む、基材構造を形成するステップと、 前記基材構造を、少なくとも一つの強磁性金属元素とさらなる一つ以上の異なった強磁性または非磁性の金属元素とを含む電気メッキ液に浸漬し、交互する高電位および低電位のパルスを有する電気メッキ・パルス電位を前記基材構造の前記導電ベース層に印加することによって前記基材構造を電気メッキし、これにより、前記少なくとも一つの開孔中に、少なくとも複数の、交互する相異なった材料組成の強磁性層を堆積するステップと、 を含む方法。
IPC (10件)：
C25D 5/18 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  C25D 5/10 ,  C25D 7/00 ,  H01F 41/26 ,  H01F 10/14 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00
FI (9件)：
C25D5/18 ,  H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  C25D5/10 ,  C25D7/00 R ,  H01F41/26 ,  H01F10/14 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00
Fターム (26件)：
4K024AA15 ,  4K024AB04 ,  4K024BB14 ,  4K024BC07 ,  4K024CA07 ,  4K024GA16 ,  4M119AA19 ,  4M119BB20 ,  4M119CC10 ,  4M119JJ01 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5E049CB06 ,  5E049DB02 ,  5E049LC06 ,  5F092AA11 ,  5F092AB06 ,  5F092AC30 ,  5F092AD26 ,  5F092BD03 ,  5F092BD04 ,  5F092BD13 ,  5F092BD20 ,  5F092CA01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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