特許

J-GLOBAL ID：201003048560919050

酸化層を有する窒化アルミニウム基板、窒化アルミニウム焼結体、それらの製造方法、回路基板、及びLEDモジュール

発明者： 平山 健太郎 ,  今井 順二 ,  佐藤 正博
出願人/特許権者： パナソニック電工株式会社
代理人 (5件)： 小谷 悦司 ,  小谷 昌崇 ,  麻野 義夫 ,  江川 勝 ,  大西 裕人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-073890
公開番号（公開出願番号）：特開2010-132525
出願日： 2009年03月25日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：

【課題】窒化アルミニウム焼結体の表面に、高い密着強度を有する酸化層が形成された窒化アルミニウム基板を提供することを目的とする。【解決手段】窒化アルミニウム層2の表面に酸化層3が形成されており、酸化層3は窒化アルミニウム結晶粒子4を含有し、酸化層3中の酸化アルミニウム成分の総含有量に基づいて、酸化アルミニウムのみからなる仮想の層の厚みを算出したときの厚みが5〜100μmになる酸化層を有する窒化アルミニウム基板。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化層を有する窒化アルミニウム基板であって、 前記酸化層は窒化アルミニウム層の表面に形成されており、 前記酸化層は窒化アルミニウム結晶粒子を含有し、 前記酸化層中の酸化アルミニウム成分の総含有量に基づいて、酸化アルミニウムのみからなる仮想の層の厚みを算出したときの厚みが5〜100μmになることを特徴とする酸化層を有する窒化アルミニウム基板。

IPC (3件)：

C04B 35/581 ,  H01L 23/13 ,  H01L 33/02

FI (5件)：

C04B35/58 104Z ,  C04B35/58 104B ,  C04B35/58 104U ,  H01L23/12 C ,  H01L33/00 100

Fターム (15件)：

4G001BA08 ,  4G001BA09 ,  4G001BA36 ,  4G001BB08 ,  4G001BB09 ,  4G001BB36 ,  4G001BC57 ,  4G001BC71 ,  4G001BD03 ,  4G001BD23 ,  4G001BE35 ,  5F041AA31 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化アルミニウム基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-157512   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化アルミニウム質焼結体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-259471   出願人：京セラ株式会社
• 特開昭62-182182
  
• 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-141167   出願人：株式会社東芝