ナノ炭素材料複合基板、電子放出素子、ナノ炭素材料複合基板の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-037591
公開番号（公開出願番号）：特開2010-188493
出願日： 2009年02月20日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された凹部および凸部よりなる3次元構造ラインパターンと、前記3次元構造ラインパターンが形成された前記基板の表面に形成されたナノ炭素材料と、を備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板である。本発明によれば、3次元構造ラインパターンを有することから、基板の表面上に形成されたナノ炭素材料は3次元構造ラインパターンの形状に沿って形成される。このため、3次元構造ラインパターンに沿ってナノ炭素材料が基板上にライン状にパターン配列される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された凹部および凸部よりなる3次元構造ラインパターンと、前記3次元構造ラインパターンが形成された前記基板の表面に形成されたナノ炭素材料と、を備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板。

IPC (4件)：

B82B 1/00 , H01J 1/304 , B82B 3/00 , H01J 9/02

FI (4件)：

B82B1/00 , H01J1/30 F , B82B3/00 , H01J9/02 B

Fターム (49件)：

4G146AA07 , 4G146AA11 , 4G146AD05 , 4G146AD29 , 4G146BA11 , 4G146BA49 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC02 , 4G146BC07 , 4G146BC33B , 4G146BC37B , 4G146BC42 , 4G146BC44 , 5C127AA01 , 5C127BA15 , 5C127BB07 , 5C127CC03 , 5C127DD07 , 5C127DD20 , 5C127DD32 , 5C127DD42 , 5C127DD53 , 5C127DD57 , 5C127DD62 , 5C127DD69 , 5C127EE02 , 5C127EE20 , 5C135AA07 , 5C135AA15 , 5C135AB07 , 5C135AB08 , 5C135AC03 , 5C135AC19 , 5C135GG11 , 5C135HH02 , 5H018AA02 , 5H018BB01 , 5H018BB05 , 5H018BB08 , 5H018BB11 , 5H018BB12 , 5H018EE02 , 5H018EE03 , 5H018EE05 , 5H018EE11 , 5H018EE12 , 5H018EE16 , 5H018HH03

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-190034
電界放射型電子源及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-110354 出願人：松下電器産業株式会社
電子放出素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-098016 出願人：財団法人ファインセラミックスセンター

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