特許
J-GLOBAL ID：201003049116066284

クラスター並びにこれを用いたスピンRAM及びスピントルク発振器

発明者：
工藤 究

工藤 究 について

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福島 伸

福島 伸 について

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永澤 鶴美

永澤 鶴美 について

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水島 公一

水島 公一 について

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佐藤 利江

佐藤 利江 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (21件)： 鈴江 武彦 ,  蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  風間 鉄也 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-051209
公開番号（公開出願番号）：特開2010-206023
出願日： 2009年03月04日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】スピンRAM、スピントルク発振器などに適用できるクラスターを提案する。【解決手段】本発明の例に係わるクラスターは、磁性発振素子としての第一磁気抵抗効果素子MTJ1と、メモリセルとしての第二磁気抵抗効果素子MTJ2とを備える。第一及び第二磁気抵抗効果素子MTJ1,MTJ2は、磁化方向が可変の磁気フリー層11-1,11-2、磁化方向が不変の磁気ピンド層12-1,12-2、及び、これらの間に配置されるスペーサー層13-1,13-2を基本構造とする。第一磁気抵抗効果素子MTJ1の磁気フリー層11-1は、第一磁気抵抗効果素子MTJ1に発振閾値電流よりも大きい電流を流したときに、第二磁気抵抗効果素子MTJ2の磁気フリー層11-2と磁気ピンド層12-2との残留磁化の磁化方向に依存した周波数で磁化振動する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁性発振素子としての第一磁気抵抗効果素子と、前記第一磁気抵抗効果素子に隣接して配置されるメモリセルとしての第二磁気抵抗効果素子とを具備し、 前記第一及び第二磁気抵抗効果素子は、磁化方向が可変の磁気フリー層、磁化方向が不変の磁気ピンド層、及び、これらの間に配置されるスペーサー層を基本構造とし、 前記第二磁気抵抗効果素子の磁気フリー層と磁気ピンド層との残留磁化の磁化方向は、平行又は反平行に設定され、 前記第一磁気抵抗効果素子の磁気フリー層は、前記第一磁気抵抗効果素子に発振閾値電流よりも大きい電流を流したときに、前記第二磁気抵抗効果素子の磁気フリー層と磁気ピンド層との残留磁化の磁化方向に依存した周波数で磁化振動する ことを特徴とするクラスター。
IPC (5件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15 ,  H03B 15/00
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110 ,  H03B15/00
Fターム (36件)：
4M119AA03 ,  4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119CC10 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD42 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119HH04 ,  4M119HH20 ,  5F092AB07 ,  5F092AB08 ,  5F092AB10 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC30 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB55 ,  5F092BB82 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC42
引用特許：
審査官引用 (4件)
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