特許
J-GLOBAL ID：201003049121927468
銅合金及び銅合金の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
平田 忠雄
, 角田 賢二
, 岩永 勇二
, 中村 恵子
, 遠藤 和光
, 野見山 孝
, 今 智司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-105899
公開番号（公開出願番号）：特開2010-255042
出願日： 2009年04月24日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：
【課題】高強度及び良好な導電性を備えると共に、優れた曲げ加工性を備える銅合金及び銅合金の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る銅合金は、圧延加工を経て製造される銅合金であって、Siと、Siと反応してシリコン化合物を形成するNi及びCoと、銅合金に含まれる結晶粒の成長を抑制するSn及びZnとを含有すると共に、残部がCuと不可避的不純物とからなり、NiとCoとの合計量のSiに対する質量濃度比(Ni+Co)/Siが4以上5以下であり、NiのCoに対する質量濃度比Ni/Coが0.5以上2以下であり、圧延加工の圧延方向に対して平行な断面における銅合金の結晶粒の長径aと短径bとの比a/bが1.0以上2.5以下であると共に、長径aと短径bとの相加平均値(a+b)/2が10μm以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
圧延加工を経て製造される銅合金であって、
Siと、前記Siと反応してシリコン化合物を形成するNi及びCoと、前記銅合金に含まれる結晶粒の成長を抑制するSn及びZnとを含有すると共に、残部がCuと不可避的不純物とからなり、
前記Niと前記Coとの合計量の前記Siに対する質量濃度比(Ni+Co)/Siが4以上5以下であり、
前記Niの前記Coに対する質量濃度比Ni/Coが0.5以上2以下であり、
前記圧延加工の圧延方向に対して平行な断面における前記銅合金の結晶粒の長径aと短径bとの比a/bが1.0以上2.5以下であると共に、前記長径aと前記短径bとの相加平均値(a+b)/2が10μm以下である銅合金。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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