特許
J-GLOBAL ID：201003050007664412

縦型の誘電体層を有する半導体素子構造

発明者：
アントン マウダー

アントン マウダー について

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シュテファン ゼードルマイヤー

シュテファン ゼードルマイヤー について

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ラルフ エリッヒセン

ラルフ エリッヒセン について

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ハンス ヴェーバー

ハンス ヴェーバー について

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オリバー ヘーベルレン

オリバー ヘーベルレン について

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フランツ ハーラー

フランツ ハーラー について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-220809
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087509
出願日： 2009年09月25日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：
【課題】歩留りを向上できる半導体構造の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体構造の製造方法は、第1面101および第2面102’を有する第1半導体ボディ100を、第1面101から垂直方向に第1半導体ボディ100の中を伸びて第1半導体ボディ100を各半導体区域11’、21’にサブ分割する、互いに間隔をおいて配置された各第1誘電体層31を有するように設ける工程と、第1面101に第2半導体ボディ200を設ける工程と、第1半導体ボディ100の厚みを、第2面102’から垂直方向において少なくとも各第1誘電体層31の位置まで低減する工程とを含む。【選択図】図1C
請求項（抜粋）：
第1面および第2面を有する第1半導体ボディを、上記第1面から垂直方向に上記第1半導体ボディの中を伸びて上記第1半導体ボディを複数の各半導体区域にサブ分割する、互いに間隔をおいて配置された複数の各第1誘電体層を有するように設ける工程と、 上記第1半導体ボディの第1面に、第2半導体ボディを設ける工程と、 上記第1半導体ボディの厚みを、上記第2面から垂直方向において少なくとも上記各第1誘電体層の位置まで低減する工程とを含む、半導体構造の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/06
FI (13件)：
H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 657B ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658K ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 657Z ,  H01L29/78 652P ,  H01L27/08 102E ,  H01L27/06 102A
Fターム (9件)：
5F048AA04 ,  5F048AC10 ,  5F048BB20 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BD01 ,  5F048BD07 ,  5F048BG13
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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