特許
J-GLOBAL ID：201003051168029195

Ti系膜の成膜方法および記憶媒体

発明者：
天野 文貴

天野 文貴 について

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善光 哲

善光 哲 について

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成嶋 健索

成嶋 健索 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-235284
公開番号（公開出願番号）：特開2010-065309
出願日： 2008年09月12日
公開日（公表日）： 2010年03月25日
要約：
【課題】成膜中にプリコート膜とシャワーヘッドやサセプタとの反応等の不都合を生じさせずに、プロセス膜厚の面間ばらつきを抑制することができるTi系膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】サセプタ2にウエハWが存在しない状態でサセプタ2を加熱し、Tiを含む処理ガスにより少なくともシャワーヘッド10の表面にプリコート膜を形成する工程と、その後、所定温度に加熱したサセプタ2上にウエハWを載置し、チャンバ1内に処理ガスを供給してウエハWに対してTi膜を成膜する工程と、サセプタ2にウエハWが存在しない状態でチャンバ1内にクリーニングガスを導入してチャンバ1内をクリーニングする工程とを繰り返す。プリコート膜形成工程においては、サセプタ2の温度をTi膜成膜工程の際の温度よりも低い温度で低温プリコート膜71を成膜した後、Ti膜成膜の際の温度で高温プリコート膜72を形成する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
被処理体を収容するチャンバと、前記チャンバ内にTi含有ガスを含む処理ガスおよびクリーニングガスを吐出させるガス吐出部材と、前記チャンバ内で被処理体を載置する載置台と、前記載置台を加熱する加熱手段とを有する装置を用いて被処理体の表面にTi系膜を成膜するTi系膜の成膜方法であって、 前記載置台の上に被処理体が存在しない状態で前記載置台を前記加熱手段により加熱するとともに前記ガス吐出部材から前記処理ガスを前記チャンバ内に吐出させて、少なくとも前記ガス吐出部材の表面にプリコート膜を形成する工程と、 その後、前記加熱手段により加熱した状態の前記載置台に被処理体を載置し、前記チャンバ内に前記処理ガスを供給して被処理体に対してTi系膜を成膜する処理を複数の被処理体に対して行う工程と、 前記載置台に被処理体が存在しない状態で前記チャンバ内にクリーニングガスを導入して前記チャンバ内をクリーニングする工程と を含み、これらを順次繰り返し行い、 前記プリコート膜を形成する工程においては、前記載置台の温度を前記成膜工程の際の温度よりも低い温度で低温プリコート膜を形成した後、前記成膜工程の際の温度で高温プリコート膜を形成することを特徴とするTi系膜の成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 16/44 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28
FI (3件)：
C23C16/44 J ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R
Fターム (19件)：
4K030AA03 ,  4K030AA17 ,  4K030BA18 ,  4K030DA06 ,  4K030EA04 ,  4K030FA03 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030KA46 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD77 ,  4M104FF22 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • ガス処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-119607   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 国際公開2008/047838号パンフレット
審査官引用 (1件)

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