特許
J-GLOBAL ID：201003052570711306

半導体装置の作製方法

発明者：
北角 英人

北角 英人 について

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田中 信洋

田中 信洋 について

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河崎 律子

河崎 律子 について

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笠原 健司

笠原 健司 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-267098
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080970
出願日： 2009年11月25日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】 電気光学装置の製造コストを低減する技術を提供する。【解決手段】 電気光学装置を形成するTFTの作製方法において、必要とするパターニング回数を極力低減することにより、製造コストの低減を図る。具体的には、ゲート配線をマスクとして活性層に不純物元素を添加した後、該ゲート配線の線幅をパターニング工程を施すことなく狭め、再度不純物元素を添加する。これによりパターニング回数を増やすことなくLDD領域を形成できる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板上に結晶質構造を含む半導体膜を形成し、 前記半導体膜より第1の活性層及び第2の活性層を形成し、 前記第2の活性層にn型不純物元素を選択的に添加し、 前記第1の活性層及び前記第2の活性層の上にゲート絶縁膜を形成し、 前記ゲート絶縁膜の上に導電膜を形成し、 前記導電膜の上に第1のレジストマスク及び第2のレジストマスクを形成し、 前記第1のレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングして第1の形状の第1のゲート配線を形成するとともに、前記第2のレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングして前記ゲート絶縁膜を介して前記n型不純物元素が添加された領域の一部と重なる前記第1の形状の第2のゲート配線を形成し、 前記第1の形状の第1のゲート配線をマスクとして、前記第1の活性層にn型不純物元素を添加するとともに、前記第1の形状の第2のゲート配線をマスクとして、前記第2の活性層にn型不純物元素を添加し、 前記第1のレジストマスクを用いて前記第1の形状の第1のゲート配線の一部をエッチングして前記第1の形状の第1のゲート配線より細い第2の形状の第1のゲート配線を形成するとともに、前記第2のレジストマスクを用いて前記第1の形状の第2のゲート配線の一部をエッチングして前記第1の形状の第2のゲート配線より細い第2の形状の第2のゲート配線を形成し、 前記第1のレジストマスク及び前記第2のレジストマスクを除去し、 前記第2の形状の第1のゲート配線をマスクとして、前記第1の活性層にn型不純物元素を添加することにより、ソース領域及びドレイン領域、並びに前記ゲート絶縁膜を介して前記第2の形状の第1のゲート配線と重ならないLDD領域を前記第1の活性層に形成するとともに、前記第2の形状の第2のゲート配線をマスクとして、前記第2の活性層にn型不純物元素を添加することにより、ソース領域及びドレイン領域、並びに少なくとも一部が前記ゲート絶縁膜を介して前記第2の形状の第2のゲート配線と重なるLDD領域を前記第2の活性層に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (8件)：
H01L29/78 616A ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 613A ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321D
Fターム (90件)：
5F048AA09 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB15 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC16 ,  5F048BC18 ,  5F048BC20 ,  5F048BD02 ,  5F048BD04 ,  5F048BD10 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG02 ,  5F048BG03 ,  5F048BG07 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE28 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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