特許

J-GLOBAL ID：201003053405510548

逆方向リークが減少した3次元の読み書きセルとそれを作る方法

発明者： クマー,タンメイ ,  ペティ,クリストファー ジェイ.
出願人/特許権者： サンディスク スリーディー,エルエルシー
代理人 (1件)： 井ノ口 壽
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-514766
公開番号（公開出願番号）：特表2010-532564
出願日： 2008年06月23日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：

逆方向リークが減少した3次元の読み書きセルとそれを作る方法を開示する。本発明の一実施形態は、半導体ダイオードステアリング素子と、半導体読み書きスイッチング素子とを備える不揮発性記憶装置を提供する。

請求項（抜粋）：

不揮発性記憶装置であって、 半導体ダイオードステアリング素子と、 半導体読み書きスイッチング素子と、 を備える不揮発性記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (12件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (4件)

• メモリ構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-172894   出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
• 特開平3-179763
  
• 特開平3-179763
  
• アンチヒューズとしてのダイオードを備える一度にプログラム可能なクロスポイントメモリ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-515846   出願人：サンディスクスリーディー,エルエルシー