絶縁性被膜の形成方法および半導体装置の製造方法。

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-025764
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087458
出願日： 2009年02月06日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：

【課題】化学酸化膜形成法により、厚膜の絶縁被膜形成にも応じることの可能な半導体への絶縁性被膜の形成方法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法を実現する。【解決手段】酸化性溶液内に、表面に酸化シリコンを含む被膜形成用基材とシリコン又はシリコン含有固体またはシリコンを含む膜で覆われた固体とを浸漬して、前記酸化性溶液の沸点以下の温度で加熱して、前記基材上に稠密な酸化シリコン膜を形成することにより、被処理用シリコン基板1上に厚膜の酸化シリコン膜4を化学的形成法で実現して、絶縁性被膜の形成並びにそれを用いた半導体装置の製造を実用的短時間で達成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

沸点以下の温度の酸化性溶液内に、酸化シリコン膜形成用基材とシリコン又はシリコン含有固体もしくはシリコンを含む膜で覆われた固体とを浸漬して、前記基材上に稠密な酸化シリコン膜を形成することを特徴とする絶縁性被膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L21/316 G , H01L29/78 301G , H01L21/316 U

Fターム (13件)：

5F058BC02 , 5F058BF46 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA10 , 5F140BA13 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF05

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-022551
スピンオンガラスによるシリコン酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-198243 出願人：三星電子株式会社

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