スピンオンガラスによるシリコン酸化膜の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸 , 藤井敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-198243
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045230
出願日： 2004年07月05日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】酸化剤溶液を用いてスピンオンガラスによる膜を硬化させて、シリコン酸化膜を形成する方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造工程において、ポリシラザンを含むスピンオンガラス膜を、酸化剤溶液を用いて硬化させ、1回以上の熱処理によりシリコン酸化膜に転換させる、シリコン酸化膜の形成方法により、上記課題は解決される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上にポリシラザンを含むスピンオンガラス膜を形成する段階と、前記スピンオンガラス膜を酸化剤容液で処理して前記ポリシラザンを酸化シリコンに転換する段階と、を含む半導体基板上へのシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L21/316 , H01L21/76 , H01L21/768 , H01L27/08

FI (5件)：

H01L21/316 G , H01L27/08 331A , H01L21/90 P , H01L21/90 K , H01L21/76 L

Fターム (71件)：

5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA70 , 5F032AA77 , 5F032AA78 , 5F032DA09 , 5F032DA10 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA33 , 5F032DA34 , 5F032DA74 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH28 , 5F033MM07 , 5F033MM15 , 5F033PP09 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ31 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033QQ89 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR13 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033XX01 , 5F048AA04 , 5F048AB01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB13 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA27 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC05 , 5F058BD04 , 5F058BD07 , 5F058BF27 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH03 , 5F058BH11 , 5F058BH12 , 5F058BH20 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (10件)

米国特許第5,310,720号明細書
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-308239 出願人：株式会社日立製作所
米国特許第6,479,405号明細書

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審査官引用 (2件)

セラミックスの低温形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-313425 出願人：東燃株式会社
SiO2 系セラミック被膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-236881 出願人：東燃株式会社

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