化合物半導体の製造方法、半導体受光素子の製造方法、化合物半導体及び半導体受光素子

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：光石俊郎 , 田中康幸 , 松元洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-211295
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050176
出願日： 2008年08月20日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】長波長側の波長帯で受光感度が大きい化合物半導体の製造方法、半導体受光素子の製造方法、化合物半導体及び半導体受光素子を提供する。【解決手段】InP基板上に、少なくともIn、Ga、As、Sbを含有する化合物半導体を製造する際に、用いるV族原料のうち少なくとも1つを、ジメチルアミノ基を含む有機金属のV族原料とする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

InP基板上に、少なくともIn、Ga、As、Sbを含有する化合物半導体を製造する化合物半導体の製造方法において、当該化合物半導体を製造する際に用いるV族原料のうち少なくとも1つを、ジメチルアミノ基を含む有機金属のV族原料とすることを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (8件)：

5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049NA10 , 5F049NB01 , 5F049PA04 , 5F049QA02 , 5F049SS04 , 5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

歪量子井戸構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-090872 出願人：日本電信電話株式会社
半導体積層構造の製造方法及び半導体量子ドット構造の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-076183 出願人：日本電信電話株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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