特許
J-GLOBAL ID：200903013632179790
半導体積層構造の製造方法及び半導体量子ドット構造の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-076183
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251089
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】より長波長の半導体光源、半導体光増幅器の活性層若しくは光変調器の活性層として使用できる半導体薄膜構造、またはより長波長の受光感度を有しながらも暗電流が少なく、かつ歩留まりの高い半導体受光素子の光吸収層として使用できる半導体積層構造の製造方法を提供する。【解決手段】AsH3またはTBAsフロー雰囲気でTBAsにTMBiを加えて供給した後、TBAsとTMBiにTIPG(単分子層相当)を加えて供給することによりGaAs薄膜層106aを形成する工程と、TBAsにTMBiを加えて供給した後、TBAsとTMBiにTMI(0.3分子層相当)を加えて供給することによりInAs薄膜層106bを形成する工程とを繰り返して所要の厚さのInGaAs薄膜層106を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に半導体混晶が形成される半導体積層構造の製造方法において、それぞれ1原子層厚以下または1分子層厚以下の薄膜成長に相当する成長原料を供給すると共に、サーファクタントとなる物質を前記成長原料と同時、又は前記成長原料の供給前に供給し、前記半導体混晶を構成する要素である単一種の原子からなる結晶、または前記半導体混晶を構成する要素である単一種の分子からなる結晶、または前記半導体混晶を構成する要素である前記半導体混晶より元素数の少ない半導体混晶から構成される2種以上の結晶群を各々成長させて前記半導体混晶の薄膜層を形成することを特徴とする半導体積層構造の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01S5/343
, H01S5/343 610
, H01L29/06 601D
5F173AF09
, 5F173AH02
, 5F173AH03
, 5F173AH04
, 5F173AH08
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AR02
出願人引用 (2件)
-
藤井、特許第3239821号「歪半導体結晶の製造方法」
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半導体量子ドット構造及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-168089
出願人：日本電信電話株式会社
審査官引用 (12件)
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