バックチャネルエッチ型の薄膜トランジスタ、半導体装置、及びこれらの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：家入健 , 岩瀬康弘 , 須藤雄一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-005600
公開番号（公開出願番号）：特開2010-165774
出願日： 2009年01月14日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

【課題】生産性及びトランジスタ特性を向上することができるバックチャネルエッチ型の薄膜トランジスタ、半導体装置、及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明にかかるバックチャネルエッチ型のTFT108は、ゲート電極11と、ゲート電極11上に形成されたSiN膜12と、SiN膜12上にパターニング形成されたSiO膜13とを有する。さらに、TFT108は、SiO膜13上においてSiO膜13に接し、全てのパターン端がSiO膜13のパターン端近傍に配置されるようにパターニング形成された多結晶半導体膜14を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜上にパターニング形成された酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜上において前記酸化シリコン膜に接し、全てのパターン端が前記酸化シリコン膜のパターン端近傍に配置されるようにパターニング形成された結晶性を有する半導体膜とを有するバックチャネルエッチ型の薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , G02F 1/136

FI (8件)：

H01L29/78 618C , H01L29/78 618E , H01L29/78 617U , H01L29/78 617Z , H01L29/78 627C , H01L29/78 627G , H01L21/20 , G02F1/1368

Fターム (76件)：

2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA35 , 2H092JA36 , 2H092JA37 , 2H092JA47 , 2H092JB56 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA12 , 2H092KB25 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092NA29 , 5F110AA08 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110EE06 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF12 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110HK41 , 5F110HL07 , 5F110HM03 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP13 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F152BB03 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD17 , 5F152CD24 , 5F152CE05 , 5F152CE14 , 5F152CE24 , 5F152CE45 , 5F152CG10 , 5F152CG13 , 5F152EE11 , 5F152EE16 , 5F152FF03 , 5F152FF28 , 5F152FG19 , 5F152FG23 , 5F152FH04 , 5F152FH05

引用特許：

出願人引用 (2件)

液晶表示装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-272667 出願人：株式会社日立製作所
表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-234836 出願人：株式会社日立ディスプレイズ

審査官引用 (2件)

液晶表示装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-272667 出願人：株式会社日立製作所
表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-234836 出願人：株式会社日立ディスプレイズ

前のページに戻る