特許

J-GLOBAL ID：201003057151465810

III族窒化物結晶の成長方法

発明者： 吉田 浩章 ,  藤原 伸介 ,  上松 康二 ,  森下 昌紀
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-309737
公開番号（公開出願番号）：特開2010-132491
出願日： 2008年12月04日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：

【課題】溶液法により得られるIII族窒化物結晶基板を用いたHVPE(ハイドライド気相成長)法による大型のIII族窒化物結晶の成長方法を提供する。【解決手段】アルカリ金属元素の濃度が1.0×1018cm-3未満の第1のIII族窒化物結晶10を準備する工程と、HVPE法により、1100°Cより高い雰囲気温度で、第1のIII族窒結晶10の主面10m上に、第2のIII族窒化物結晶20を成長させる工程と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

アルカリ金属元素の濃度が1.0×1018cm-3未満の第1のIII族窒化物結晶を準備する工程と、 HVPE法により、1100°Cより高い雰囲気温度で、前記第1のIII族窒結晶の主面上に、第2のIII族窒化物結晶を成長させる工程と、を備えるIII族窒化物結晶の成長方法。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208

FI (5件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 D

Fターム (51件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA05 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB03 ,  4G077TC06 ,  4G077TK02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF16 ,  5F045BB12 ,  5F045DA63 ,  5F045DA67 ,  5F045DP07 ,  5F045DQ06 ,  5F045EK07 ,  5F053AA03 ,  5F053AA48 ,  5F053BB04 ,  5F053BB27 ,  5F053BB57 ,  5F053DD20 ,  5F053FF05 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• III族窒化物基板の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-011571   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化物系半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-319630   出願人：日立電線株式会社
• 結晶成長方法、結晶基板、および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-319751   出願人：住友電気工業株式会社