特許

J-GLOBAL ID：201003057582593564

発光装置

発明者： 杉崎 吉昭 ,  柴田 英毅 ,  石川 正行 ,  田村 英男 ,  小松 哲郎 ,  小島 章弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-178962
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251807
出願日： 2010年08月09日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

【課題】小型化が容易であり、量産性が改善された発光装置を提供する。【解決手段】第1の面と、前記第1の面とは反対側の第2の面と、を有し、発光層を有する積層体と、前記積層体の前記第2の面に設けられたp側電極及びn側電極と、前記p側電極上に設けられたp側金属配線層と、前記p側金属配線層の上に設けられたp側金属ピラーと、を有するp側引き出し電極と、前記n側電極上に設けられたn側金属配線層と、前記n側金属配線層の上に設けられたn側金属ピラーと、を有するn側引き出し電極と、前記p側金属ピラーと前記n側金属ピラーとの間に充填され,かつ前記p側金属ピラー及び前記n側金属ピラーを囲み、前記p側金属ピラー及び前記n側金属ピラーとともに支持体を構成する樹脂層と、を備える発光装置が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の面と、前記第1の面とは反対側の第2の面と、を有し、発光層を有する積層体と、 前記積層体の前記第2の面に設けられたp側電極及びn側電極と、 前記p側電極上に設けられたp側金属配線層と、前記p側金属配線層の上に設けられたp側金属ピラーと、を有するp側引き出し電極と、 前記n側電極上に設けられたn側金属配線層と、前記n側金属配線層の上に設けられたn側金属ピラーと、を有するn側引き出し電極と、 前記p側金属ピラーと前記n側金属ピラーとの間に充填され,かつ前記p側金属ピラー及び前記n側金属ピラーを囲み、前記p側金属ピラー及び前記n側金属ピラーとともに支持体を構成する樹脂層と、 を備える発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/38 ,  H01L 33/50

FI (2件)：

H01L33/00 210 ,  H01L33/00 410

Fターム (11件)：

5F041AA47 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA76 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB22 ,  5F041DA03 ,  5F041DA09 ,  5F041EE17 ,  5F041EE25

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光源装置及びプロジェクタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-018404   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 複合波長の光を発生する発光ダイオード素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-000456   出願人：株式会社メヂアナ電子, 三星電機株式会社
• III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-365317   出願人：豊田合成株式会社