特許
J-GLOBAL ID：201003057927760345
SOIウェーハの検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-111785
公開番号（公開出願番号）：特開2010-263034
出願日： 2009年05月01日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
要約：
【課題】SOIウェーハの膜厚の変動に起因する欠陥をSOIウェーハ表面異物に影響されることなく、感度良く、低コストで検査することができるSOIウェーハ検査方法を提供することを目的とする。【解決手段】検査対象のSOIウェーハと、検査対象のSOIウェーハよりSOI層の膜厚が所定厚t[nm]だけ薄い、又は厚い膜厚のSOIウェーハの可視光以上の波長領域の光に対する反射率の波長依存性を示すプロファイルP1、P2を算出し、両者の差のプロファイルP3、又は変化率のプロファイルP4を算出し、該算出したプロファイルP3又はP4内の最大ピーク波長λMに基づいて選択した波長λ又は波長帯の光を検査対象のSOIウェーハの表面に照射し、該SOIウェーハからの反射光を検出し、その検出した反射光の反射強度が増加してピークとなる箇所をSOI層膜厚の変動に起因する欠陥として検知することを特徴とするSOIウェーハの検査方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
可視光波長以上の波長帯の光を照射する光源を有する光学的検査装置を用いて、埋め込み絶縁層上にSOI層が形成されたSOIウェーハの表面に前記光源から光を照射し、前記SOIウェーハからの反射光を検出して前記SOIウェーハ表面の前記SOI層膜厚の増加及び減少による変動に起因する欠陥を検知するSOIウェーハの検査方法において、少なくとも、
前記検査対象のSOIウェーハの可視光以上の波長領域の光に対する反射率の波長依存性を示すプロファイルP1を算出する工程と、
前記検査対象のSOIウェーハより前記SOI層の膜厚が所定厚t[nm]だけ薄い、又は厚い膜厚のSOIウェーハの可視光以上の波長領域の光に対する反射率の波長依存性を示すプロファイルP2を算出する工程と、
前記算出した両方のプロファイルP1、P2の差のプロファイルP3(=P2-P1)、又はプロファイルP1、P2の変化率のプロファイルP4(=P2-P1/P1)を算出し、該算出したプロファイルP3又はP4内の最大ピーク波長λMの近傍の波長λ又は波長帯を選択する工程と、
前記選択した波長λ又は波長帯の光を前記検査対象のSOIウェーハの表面に照射し、該SOIウェーハからの反射光を検出する工程と、
前記検出した反射光の反射強度が増加してピークとなる箇所を前記SOIウェーハ表面の前記SOI層膜厚の変動に起因する欠陥として検知する工程とを有することを特徴とするSOIウェーハの検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/12 T
, H01L21/66 P
4M106AA01
, 4M106BA04
, 4M106CA48
, 4M106DH03
, 4M106DH12
, 4M106DH31
, 4M106DJ17
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
